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특허 상세정보

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Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-023/58    G01N-027/00    G01N-025/00    G01K-015/00   
미국특허분류(USC) 374/001; 374/178; 374/170; 374/057; 702/099; 702/130; 327/513; 257/048
출원번호 UP-0746332 (2007-05-09)
등록번호 US-7798703 (2010-10-11)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Lee & Hayes, PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 19
초록
▼

An apparatus and method is described for measuring a local surface temperature of a semiconductor device under stress. The apparatus includes a substrate, and a reference MOSFET. The reference MOSFET may be disposed closely adjacent to the semiconductor device under stress. A local surface temperature of the semiconductor device under stress may be measured using the reference MOSFET, which is not under stress. The local surface temperature of the semiconductor device under stress may be determined as a function of drain current values of the reference M...

대표
청구항
▼

The invention claimed is: 1. An apparatus for measuring temperature, comprising: a substrate; and a reference MOSFET, supported by the substrate and adjacent to a semiconductor device such that current through the reference MOSFET is representative of a temperature of the semiconductor device when the semiconductor device is under stress and the reference MOSFET is not under stress, the reference MOSFET disposed on a singulation scribe line of the substrate. 2. The apparatus of claim 1, wherein a local surface temperature of the semiconductor device ...

이 특허에 인용된 특허 (19)

  1. Manlove Gregory Jon (Kokomo IN) Gose Mark Wendell (Kokomo IN). Accurate integrated oscillator circuit. USP1997125699024.
  2. Hashinaga Tatsuya (Yokohama JPX) Nishiguchi Masanori (Yokohama JPX). Burn-in apparatus and method for self-heating semiconductor devices having built-in temperature sensors. USP1995045406212.
  3. D��rbaum,Thomas. Circuits and methods for failure prediction of parallel MOSFETs. USP2008027330046.
  4. Rogers, David Michael; Qian, Mimi Xuefeng; Tsao, Roger Huazne; Van Buskirk, Michael Allen. Clocked based method and devices for measuring voltage-variable capacitances and other on-chip parameters. USP2005016838869.
  5. Maeda Tadahiko (Yokohama JPX) Iino Koji (Yokohama JPX) Obayashi Shuichi (Urayasu JPX) Sekine Syuuichi (Urayasu JPX). High-frequency power amplifier device with drain-control linearizer circuitry. USP1995065422598.
  6. Thierry Vincent,FRX. Hybrid package including a power MOSFET die and a control and protection circuit die with a smaller sense MOSFET. USP2001106300146.
  7. Zommer Nathan (Los Altos CA). Insulated gate transistor devices with temperature and current sensor. USP1991115063307.
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  9. Katsube Masaki,JPX. MOS LSI with projection structure. USP1999095955764.
  10. Talanov,Vladimir V.; Schwartz,Andrew R.. Method and system for non-contact measurement of microwave capacitance of miniature structures of integrated circuits. USP2006097102363.
  11. Paul Dana Wohlfarth. Predictive temperature control system for an integrated circuit. USP2002116484117.
  12. Lunde, Aron T.. Probe look ahead: testing parts not currently under a probehead. USP2003106630685.
  13. Saito Yoshimitsu,JPX. Semiconductor stress sensor. USP1998065770803.
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  15. Thomas P. Glenn ; Steven Webster ; Roy Dale Hollaway. Structure including electronic components singulated using laser cutting. USP2002076420776.
  16. Nagata Junichi,JPX ; Hayakawa Junji,JPX ; Ban Hiroyuki,JPX. Temperature detecting using a forward voltage drop across a diode. USP1999075918982.
  17. Takahashi Mitsuasa,JPX. Temperature detection method and circuit using MOSFET. USP1998085796290.
  18. Chiu,Jui Te. Temperature measurement circuit calibrated through shifting a conversion reference level. USP2008037341374.
  19. Schrödinger, Karl; Stimma, Jaro Robert. Temperature sensor and method for operating a temperature sensor. USP2004096789939.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 1

  1. Takeuchi, Shigeyuki. Semiconductor apparatus. USP2014018633723.

IPC 상위 출원인