최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | UP-0037057 (2008-02-25) |
등록번호 | US-7799655 (2010-10-11) |
우선권정보 | JP-2007-054480(2007-03-05) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A bonded wafer formed by directly bonding a wafer for active layer and a wafer for support substrate without an insulating film and thinning the wafer for active layer is evaluated by a method comprising steps of removing native oxide from a surface of an active layer in the bonded wafer, subjecting
What is claimed is: 1. A method for evaluating a bonded wafer formed by directly bonding a wafer for active layer and a wafer for support substrate without an insulating film and thinning the wafer for active layer, which comprises steps of removing native oxide from a surface of an active layer in
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.