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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0643743 (2006-12-20) |
등록번호 | US-7820475 (2010-11-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 18 |
In one embodiment, active diffusion junctions of a solar cell are formed by diffusing dopants from dopant sources selectively deposited on the back side of a wafer. The dopant sources may be selectively deposited using a printing method, for example. Multiple dopant sources may be employed to form a
What is claimed is: 1. A method of forming active diffusion regions in a back side contact solar cell, the method comprising: forming a first set of dopant sources on a back side of a wafer to be processed into a solar cell, the wafer having a front side configured to face the sun during normal ope
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