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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0938171 (2007-11-09) |
등록번호 | US-7822570 (2010-11-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 12 |
A method for determining an actual gas flow rate in a reaction chamber of a plasma processing system is provided. The method includes delivering gas by a gas flow delivery system controlled by a mass flow controller (MFC) to an orifice, which is located upstream from the reaction chamber. The method
What is claimed is: 1. A method for determining an actual gas flow rate in a reaction chamber of a plasma processing system, the method comprising: delivering gas by a gas flow delivery system controlled by a mass flow controller (MFC) to an orifice, said orifice being upstream from said reaction c
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