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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0076325 (2008-03-17) |
등록번호 | US-7826186 (2010-11-22) |
우선권정보 | JP-2007-070133(2007-03-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
When a manufacturing process becomes finer and a threshold value drops, a leakage current generates in a MOS transistor that is normally in an off-state. In order to suppress an influence of a leakage current that is generated in a protection transistor that constitutes a protection circuit on the i
What is claimed is: 1. A semiconductor device, comprising: an internal circuit; a protection circuit including a first protection transistor connected to an input terminal of said internal circuit and a first adjustor circuit connected to said input terminal in series with said first protection tra
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