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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0062130 (2008-04-03) |
등록번호 | US-7830010 (2010-11-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
Interconnect structures in which a noble metal-containing cap layer is present directly on a non-recessed surface of a conductive material which is embedded within a low k dielectric material are provided. It has been determined that by forming a hydrophobic surface on a low k dielectric material pr
What is claimed is: 1. An interconnect structure comprising: a dielectric material having a dielectric constant of about 3.0 or less, said dielectric material having an upper hydrophobic surface and at least one conductive material having an upper surface embedded within said dielectric material, w
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