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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | UP-0781746 (2007-07-23) |
등록번호 | US-7833894 (2011-01-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 26 |
A method for forming through-wafer interconnects (TWI) in a substrate. Blind holes are formed from a surface, sidewalls thereof are passivated and coated with a conductive material. A vent hole is then formed from the opposite surface to intersect the blind hole. The blind hole is solder filled, fol
What is claimed is: 1. A semiconductor die, comprising: at least one through via extending from a first surface to a second surface of the semiconductor die, the at least one through via including a solder-wetting metal layer formed over a sidewall thereof and a solder positioned therein; at least
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