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Silicon based nanospheres and nanowires 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/12
출원번호 UP-0448460 (2006-06-06)
등록번호 US-7834349 (2011-01-16)
발명자 / 주소
  • Gole, James L.
  • Stout, John D.
  • White, Mark G.
출원인 / 주소
  • Georgia Tech Research Corporation
대리인 / 주소
    Thomas, Kayden, Horstemeyer & Risley, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 4

초록

A nanowire, nanosphere, metallized nanosphere, and methods for their fabrication are outlined. The method of fabricating nanowires includes fabricating the nanowire under thermal and non-catalytic conditions. The nanowires can at least be fabricated from metals, metal oxides, metalloids, and metallo

대표청구항

Therefore, having thus described the invention, at least the following is claimed: 1. A nanostructure, comprising a silicon dioxide nanosphere, wherein the silicon dioxide nanosphere is coated with copper. 2. The nanostructure of claim 1, wherein the silicon dioxide nanosphere has a diameter from

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Markus Mechtel DE; Michael Mager DE; Karl-Heinz Kasler DE, Antifouling agents, their production and use, and antifouling coating produced therefrom.
  2. Ayers Michael Raymond, Method of making fullerene-decorated nanoparticles and their use as a low dielectric constant material for semiconductor devices.
  3. Ayers Michael R., Method of making two-component nanospheres and their use as a low dielectric constant material for semiconductor device.
  4. Gole,James L.; Wang,Zhong L., Silicon based nanospheres and nanowires.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Chen, Sung-Wei, Nano-antenna and methods for its preparation and use.
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