최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | UP-0822028 (2007-06-29) |
등록번호 | US-7843003 (2011-01-31) |
우선권정보 | JP-2006-181305(2006-06-30) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
An insulated gate semiconductor device includes a one conductivity type semiconductor layer, a first operation part in a surface of the semiconductor layer and a second operation part in the surface of the semiconductor layer that is smaller in area than the first operation part. A first channel reg
What is claimed is: 1. An insulated gate semiconductor device comprising: a semiconductor layer of a first conductivity type; a first operation part provided in a surface of the semiconductor layer; a second operation part provided in the surface of the semiconductor layer so as to be smaller in ar
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.