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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0947929 (2007-11-30) |
등록번호 | US7863169 (2010-12-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 13 |
An anisotropic wet etch of a semiconductor layer generates facets joined by a ridge running along the center of a pattern in a dielectric hardmask layer on the semiconductor layer. The dielectric hardmask layer is removed and a conformal masking material layer is deposited. Angled ion implantation o
What is claimed is: 1. A method of forming a semiconductor structure comprising:forming a stack, from bottom to top, of a gate dielectric layer, a gate conductor layer, a dielectric oxide layer, and a semiconductor layer on a semiconductor substrate;forming crystallographic facets joined by a ridge
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