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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0427139 (2009-04-21) |
등록번호 | US7863619 (2010-12-20) |
우선권정보 | JP-1993--269780(1993-10-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 175 |
A thin film transistor of the present invention has an active layer including at least source, drain and channel regions formed on an insulating surface. A high resistivity region is formed between the channel region and each of the source and drain regions. A film capable of trapping positive charg
What is claimed is: 1. A semiconductor device comprising:a single crystalline semiconductor island on an insulating surface, the single crystalline semiconductor island comprising a source region, a drain region, and a channel region located between the source region and the drain region;a gate elec
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