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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0120020 (2008-05-13) |
등록번호 | US7867805 (2010-12-28) |
우선권정보 | EP-2007-7108816(2007-05-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 4 |
Methods and apparatus for forming a product from ultra thin layers of a base material are disclosed. Some embodiments provide a process that allows one to structure a silicon base material, like the ingot, and to transfer this structure into a respective silicon process step. Some embodiments provid
What is claimed is: 1. A method of structuring individual silicon layers, comprising:providing a base material;applying a master structure to said base material, said master structure comprising vias or mesa structures;exfoliating at least two ultra thin layers from the master structure; andtransfer
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