[특허]Semiconductor structure having selective silicide-induced stress and a method of producing same

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Semiconductor structure having selective silicide-induced stress and a method of producing same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/04
출원번호	US-0216512 (2005-08-31)
등록번호	US7875959 (2011-01-10)
발명자 / 주소	Ke, Chung-Hu Lee, Wen-Chin Hu, Chenming
출원인 / 주소	Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
대리인 / 주소	Slater & Matsil, L.L.P.
인용정보	피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 10

초록 ▼

The channel of a MOSFET is selectively stressed by selectively stressing the silicide layers on the gate electrode and the source/drain. Stress in the silicide layer is selectively produced by orienting the larger dimensions of the silicide grains in a first direction and the smaller dimensions in a second, perpendicular direction, with one of the directions being parallel to the direction of carrier movement in the channel and the other direction being perpendicular thereto.

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A structure that includes a semiconductor substrate, a dielectric layer on a free surface of the substrate, and an electrode layer on a free surface of the dielectric layer, which structure comprises:a silicide layer on a free surface of the electrode layer, grains of the silicide layer having major and minor dimensions, the major dimensions of the grains being generally oriented in a first direction parallel to the free surface of the substrate, and the minor dimensions of the grains being generally oriented in a second direction parallel to the free surface of the substrate, the first and second directions being substantially orthogonal, the major dimensions being larger than the minor dimensions, the silicide layer having a plurality of grains along the first direction and the second direction.

이 특허에 인용된 특허 (10)

Maris Humphrey J, Apparatus and method for the determination of grain size in thin films.
상세보기
Chhabra Navjot (Boise ID) Sandhu Gurtej S. (Boise ID), Metal silicide texturizing technique.
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Ohtani Hisashi,JPX, Method of manufacturing semiconductor device.
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Wang, Maureen; Chang, Chi-Wei; Shue, Winston, Method to reduce metal silicide void formation.
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Abbott,Todd R., Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode.
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Bhattacharyya, Arup, Methods of forming devices, constructions and systems comprising thyristors.
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Sugawara, Yasuhiro; Furukawa, Ryouichi; Uemura, Toshio; Takamatsu, Akira; Yamamoto, Hirohiko; Yoshida, Tadanori; Ishizaka, Masayuki; Iljima, Shinpei; Ohji, Yuzuru, Semiconductor device and method of fabricating the same.
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McKee Rodney Allen ; Walker Frederick Joseph, Strain-based control of crystal anisotropy for perovskite oxides on semiconductor-based material.
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Matsubara Yoshihisa (Tokyo JPX), Test piece for X-ray inspection.
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Ojima, Kazuo; Baba, Noboru; Akiyama, Toshikatsu; Komuro, Katsuhiro; Udagawa, Tetsuo, Turbo-charger for internal-combustion engine.
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이 특허를 인용한 특허 (3)

Liang, Yue; Chidambarrao, Dureseti; Greene, Brian J.; Henson, William K.; Kwon, Unoh; Narasimha, Shreesh; Yu, Xiaojun, Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device having gate structures connected by a metal gate conductor.
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Liang, Yue; Chidambarrao, Dureseti; Greene, Brian J.; Henson, William K.; Kwon, Unoh; Narasimha, Shreesh; Yu, Xiaojun, Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device having gate structures connected by a metal gate conductor.
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Yamazaki, Shunpei; Maruyama, Hotaka; Oikawa, Yoshiaki; Tochibayashi, Katsuaki, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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