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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0182560 (2008-07-30) |
등록번호 | US7875960 (2011-01-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 22 |
A semiconductor structure with an insulating layer on a silicon substrate, a plurality of electrically-isolated silicon-on-insulator (SOI) regions separated from the substrate by the insulating layer, and a plurality of electrically-isolated silicon bulk regions extending through the insulating laye
What is claimed is: 1. A semiconductor structure comprising:a silicon substrate;an insulating layer in direct contact with said silicon substrate;a plurality of electrically-isolated silicon-on-insulator (SOI) regions separated from said silicon substrate by said insulating layer, a first number of
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