최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0393493 (2009-02-26) |
등록번호 | US7879678 (2011-01-18) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 13 |
Methods of enhancing the performance of a field-effect transistor (FET) by providing a percolating network of metallic islands to the inversion layer of the FET so as to effectively reduce the channel length of the FET. The metal islands can be provided in a number of ways, including Volmer-Weber me
What is claimed is: 1. A method of making a field-effect transistor (FET) having a source, a drain, a channel and a gate, comprising:forming the source and the drain of the FET;forming the channel of the FET so that the channel extends from the source to the drain;forming the gate of the FET proxima
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.