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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0706553 (2007-02-13) |
등록번호 | US7880303 (2011-01-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 14 |
An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a metallization layer over the semiconductor substrate; a first dielectric layer between the semiconductor substrate and the metallization layer; a second dielectric layer between the semiconductor substrate and the metallization la
What is claimed is: 1. An integrated circuit structure comprising:a semiconductor substrate;a metallization layer over the semiconductor substrate;a first dielectric layer between the semiconductor substrate and the metallization layer, and having a first thickness;an etch stop layer overlying the f
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