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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0061317 (2008-04-02) |
등록번호 | US7883580 (2011-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 0 |
Ion implantation is used to grow nanotubes out of carbon and other materials. Catalytic material is placed on or in a membrane that physically and possibly environmentally separates an implantation chamber or region from a growth chamber or region. High-energy ions are implanted into the catalytic m
We claim: 1. An apparatus for growing nanotubes from an element selected from among Carbon, Germanium, Boron, Boron-Nitride, Boron-Carbide, BiCjNk, Silicon and Silicon-Carbide, comprising:a chamber;a membrane physically separating said chamber into an implantation region and a growth region;one or m
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