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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0695706 (2007-04-03) |
등록번호 | US7884000 (2011-01-26) |
우선권정보 | JP-2006-006-103847(2006-04-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 10 |
A method for manufacturing SIMOX wafer, wherein roughness (Rms) of an SOI layer and roughness (Rms) of an interface between the SOI layer and a BOX layer can be reduced. The method includes forming a first ion-implanted layer containing highly concentrated oxygen within a wafer; forming a second ion
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a SIMOX wafer comprising the following steps in sequence:heating a silicon wafer to a temperature in the range from 200 to 600° C. and implanting oxygen ions in a first dose amount with a first implantation energy from a surface of the wafer to form
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