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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0699518 (2010-02-03) |
등록번호 | US7884017 (2011-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 6 |
Methods for cleaning semiconductor wafers following chemical mechanical polishing are provided. An exemplary method exposes a wafer to a thermal treatment in an oxidizing environment followed by a thermal treatment in a reducing environment. The thermal treatment in the oxidizing environment both re
What is claimed is: 1. A method for selectively forming a capping layer over a conductive feature of a wafer, the method comprising:cleaning the wafer, includingoxidizing a Cu2O surface layer of the conductive feature in a first gas-phase environment to form a CuO surface layer; thenreducing the CuO
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