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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0850916 (2007-09-06) |
등록번호 | US7884018 (2011-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 7 |
A method of forming a noble metal cap on a conductive material embedded in a dielectric material in an interconnect structure. The method includes the step of contacting (i) a conductive material having a bare upper surface partially embedded in a dielectric material and (ii) vapor of a noble metal
What is claimed is: 1. A method of forming a noble metal cap on a conductive material embedded in a dielectric material in an interconnect structure, comprising the sequential steps of:storing a vapor of a noble metal compound under an atmosphere comprising carbon monoxide;evacuating the carbon mono
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