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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0831484 (2007-07-31) |
등록번호 | US7888235 (2011-02-02) |
우선권정보 | FR-2000-0 15279(2000-11-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 46 |
A method for fabricating a semiconductor substrate. In an embodiment, this method includes the steps of transferring a seed layer on to a support substrate; and depositing a working layer on the seed layer to form a composite substrate. The seed layer is made of a material that accommodates thermal
What is claimed is: 1. A method for fabricating a semiconductor substrate which comprises:providing a source substrate including a seed layer and a weakened zone, wherein the source substrate and the seed layer are made of a first material having a first thermal expansion coefficient and;detaching i
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