[특허]Crystallisation method for the purification of a molten metal, in particular recycled aluminium

Crystallisation method for the purification of a molten metal, in particular recycled aluminium 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C22B-021/06
출원번호	US-0304311 (2007-06-08)
등록번호	US7892318 (2011-02-08)
우선권정보	EP-2006-6013339(2006-06-28)
국제출원번호	PCT/EP2007/005100 (2007-06-08)
§371/§102 date	20090630 (20090630)
국제공개번호	WO08/000341 (2008-01-03)
발명자 / 주소	Wouters, Huibrecht Adriaan Ten Cate, Andreas Beunder, Elisabeth Maria Boender, Willem Hogenboom, Marcellus Albertus Kieft, René Storm, Joost Christiaan
출원인 / 주소	Aleris Switzerland GmbH c/o K+P Treuhandgesellschaft
대리인 / 주소	Novak Druce + Quigg LLP
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 36

초록 ▼

Method for purifying molten metal having a specific density and including one or more foreign elements to be removed, by (a) cooling the molten metal to a eutectic temperature to simultaneously form purified metal crystals and crystals including at least one foreign element, and (b) separating at least some of the purified metal crystals from the crystals including at least one foreign element by adjusting the molten metal specific density within a range delimited by a lower value being specific density of the purified metal crystals and an upper limit being specific density of the crystals including the at least one foreign element. The molten metal specific density is adjusted to this range by addition of a metal to alter the molten metal specific density and maintained within this range during separation. The method is advantageously applicable for purification of aluminium melts from recycle aluminium and aluminium scraps.

대표청구항 ▼

The invention claimed is: 1. Method for the purification of a molten metal, the molten metal having a specific density and comprising one or more foreign elements, the method comprises the steps of:(a) a cooling step wherein the molten metal is cooled to a eutectic temperature to simultaneously form purified metal crystals and crystals comprising at least one foreign element, and(b) a separation step wherein at least some of the purified metal crystals are separated from the crystals comprising the at least one foreign element by adjusting the specific density of the molten metal within a range delimited by a lower value being the specific density of the purified metal crystals and by an upper limit being the specific density of the crystals comprising at least one foreign element, and wherein the specific density of the molten metal is adjusted to this range by the addition of a metal to the molten metal and wherein the specific density of the molten metal is maintained within this range during separation.

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