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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0418334 (2009-04-03) |
등록번호 | US-RE42097 (2011-01-18) |
우선권정보 | JP-1998-0-251635(1998-09-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 175 |
A semiconductor device with high reliability is provided using an SOI substrate. When the SOI substrate is fabricated by using a technique typified by SIMOX, ELTRAN, or Smart-Cut, a single crystal semiconductor substrate having a main surface (crystal face) of a {110} plane is used. In such an SOI s
The invention claimed is: 1. A method of manufacturing a semiconductor device comprising:forming an oxide layer on a single crystal semiconductor substrate; adding hydrogen ions into the single crystal semiconductor substrate through the oxide layer to form a hydrogen-containing layer; bonding the
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