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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0639388 (2009-12-16) |
등록번호 | US7897491 (2011-02-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 84 |
Methods and apparatuses for selective epitaxial formation of films separately inject reactive species into a CVD chamber. The methods are particularly useful for selective deposition using volatile combinations of precursors and etchants. Formation processes include simultaneous supply of precursors
What is claimed is: 1. A method for selectively forming a semiconductor layer on a substrate in a reaction space, the substrate comprising a first surface and a second surface, the method comprising:separately introducing a precursor for semiconductor deposition and a vapor etchant through separate
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