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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0719167 (2010-03-08) |
등록번호 | US7897507 (2011-02-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 33 |
A microelectronic topography includes a dielectric layer (DL) with a surface higher than an adjacent bulk metal feature (BMF) and further includes a barrier layer (BL) upon the BMF and extending higher than the DL. Another microelectronic topography includes a BL with a metal-oxide layer having a me
What is claimed is: 1. A method for processing a microelectronic topography, comprising:forming a diffusion barrier layer upon and in contact with a bulk metal feature such that portions of a first dielectric layer arranged adjacent to the bulk metal feature are exposed;selectively depositing a seco
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