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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0564438 (2006-11-29) |
등록번호 | US7923718 (2011-03-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 0 |
A thin-film transistor (TFT) with dual-layer source and drain electrodes is provided. Each source and drain electrode comprises a first layer and a second layer. The first layer has a work function which differs from the energy level of the semiconductor by at least 0.5 eV and the second layer has a
The invention claimed is: 1. A thin-film transistor, comprising:a source electrode; a drain electrode; a gate dielectric layer; anda polythiophene semiconductor layer;wherein the source electrode and drain electrode each comprise a first layer and a second layer, the first layer directly contacting
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