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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0106256 (2008-04-18) |
등록번호 | US7923801 (2011-03-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 74 인용 특허 : 0 |
A photodetector is described along with corresponding materials, systems, and methods. The photodetector comprises an integrated circuit and at least two optically sensitive layers. A first optically sensitive layer is over at least a portion of the integrated circuit, and a second optically sensiti
What is claimed is: 1. A photodetector comprising:a semiconductor substrate;a plurality of pixel regions, each pixel region comprising an optically sensitive layer over the substrate, wherein the optically sensitive layer employs an n-type semiconductor and is contacted using a deep-work-function me
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