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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0265038 (2008-11-05) |
등록번호 | US7927984 (2011-04-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
Silicon deposits are suppressed at the wall of a fluidized bed reactor by a process in which an etching gas is fed near the wall of the reactor. The etching gas includes tetrachlorosilane. A Siemens reactor may be integrated into the process such that the vent gas from the Siemens reactor is used to
The invention claimed is: 1. A process comprising:1) feeding a deposition gas comprising hydrogen and a silicon monomer into an internal region of a fluidized bed reactor, where the silicon monomer is selected from SiH4 and HSiCl3 and the deposition gas is introduced in a heating zone of the fluidiz
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