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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0566301 (2004-08-24) |
등록번호 | US7951275 (2011-05-17) |
우선권정보 | JP-2003-003-321050(2003-09-12) |
국제출원번호 | PCT/JP2004/012083 (2004-08-24) |
§371/§102 date | 20060125 (20060125) |
국제공개번호 | WO05/026407 (2005-03-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
Provided is a hollow cathode sputtering target comprising an inner bottom face having a surface roughness of Ra≦1.0 μm, and preferably Ra≦0.5 μm. This hollow cathode sputtering target has superior sputter film evenness (uniformity), generates few arcing and particles, is capable of suppressing the p
The invention claimed is: 1. A hollow cathode sputtering target comprising an inner bottom face that forms a non-erosion portion of a plastic-worked hollow cathode sputtering target and a cylindrical inner peripheral face that forms an erosion portion of the plastic-worked hollow cathode sputtering
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