최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0833855 (2010-07-09) |
등록번호 | US7956361 (2011-05-23) |
우선권정보 | JP-2005-005-258263(2005-09-06) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 186 인용 특허 : 0 |
An amorphous oxide containing hydrogen (or deuterium) is applied to a channel layer of a transistor. Accordingly, a thin film transistor having superior TFT properties can be realized, the superior TFT properties including a small hysteresis, normally OFF operation, a high ON/OFF ratio, a high satur
The invention claimed is: 1. A field effect transistor comprising:a channel layer of an amorphous oxide film containing In and Zn,wherein the amorphous oxide film shows an electron carrier concentration and an electron mobility such that the electron mobility tends to increase as the electron carrie
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.