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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0219491 (2008-07-23) |
등록번호 | US7960195 (2011-05-31) |
우선권정보 | JP-2007-007-216401(2007-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
A method of manufacturing a laser diode array capable of inhibiting electric cross talk is provided. The method of manufacturing a laser diode array includes a processing step of forming a peel layer containing an oxidizable material and a vertical resonator structure over a first substrate sequenti
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a laser diode array comprising:forming sequentially, by crystal growth from a first substrate side, a peel layer and a vertical resonator structure, the peel layer including an oxidizable material,etching selectively the peel layer and the vertical re
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