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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0019361 (2008-01-24) |
등록번호 | US7968382 (2011-06-15) |
우선권정보 | JP-2007-007-023747(2007-02-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 10 |
An object of the invention is to provide a method for manufacturing semiconductor devices that are flexible in which elements fabricated using a comparatively low-temperature (less than 500° C.) process are separated from a substrate. After a molybdenum film is formed over a glass substrate, a molyb
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of:forming a metal film over a substrate;forming a metal oxide film over the metal film;forming a nonmetal inorganic film over the metal oxide film;forming an organic compound film over the nonmetal inorgan
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