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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0497322 (2009-07-02) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 48 |
Copper diffusion barrier films having low dielectric constants are suitable for a variety of copper/inter-metal dielectric integration schemes. Copper diffusion barrier films in accordance with the invention are composed of one or more layers of silicon carbide, at least one of the silicon carbide l
The invention claimed is: 1. A method of forming a copper diffusion barrier film in a semiconductor device, the method comprising:forming at least one layer of carbon-rich silicon carbide, the layer having a composition of at least 40 atomic % carbon and a dielectric constant of less than about 4 by
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