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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0547162 (2009-08-25) |
등록번호 | US7972584 (2011-06-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 5 |
Magnesiothermic methods of producing solid silicon are provided. In a first embodiment, solid silica and magnesium gas are reacted at a temperature from 400° C. to 1000° C. to produce solid silicon and solid magnesium oxide, the silicon having a purity from 98.0 to 99.9999%. The silicon is separated
What is claimed is: 1. A magnesiothermic method of producing solid silicon comprising:(a) reacting solid silica and magnesium gas at a temperature within a range from about 400° C. to about 1000° C. to produce solid silicon and solid magnesium oxide by the reaction SiO2(s)+2Mg(g)→Si(s)+2MgO(s), the
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