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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0528573 (2008-04-15) |
등록번호 | US7981768 (2011-07-06) |
우선권정보 | FR-2007-7 54777(2007-04-27) |
국제출원번호 | PCT/IB2008/000967 (2008-04-15) |
§371/§102 date | 20090825 (20090825) |
국제공개번호 | WO08/132569 (2008-11-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 7 |
A method for producing an epitaxial layer. First, a structure is fabricated by: formation of an intermediate layer on a donor substrate; and formation of the epitaxial layer on the intermediate layer by epitaxy; with the melting temperature of the intermediate layer being lower than the melting temp
The invention claimed is: 1. A method for producing an epitaxial layer which comprises:fabricating a structure by forming an intermediate layer on a donor substrate and forming the epitaxial layer on the intermediate layer by epitaxy to form the structure, wherein the melting temperature of the inte
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