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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0649817 (2009-12-30) |
등록번호 | US7985669 (2011-07-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 117 |
Processes are provided for selectively depositing thin films comprising one or more noble metals on a substrate by vapor deposition processes. In some embodiments, atomic layer deposition (ALD) processes are used to deposit a noble metal containing thin film on a high-k material, metal, metal nitrid
We claim: 1. A method for selectively depositing a thin film comprising one or more noble metals on a substrate comprising a first surface and a second surface, the method comprising:contacting the first and second surface of the substrate with a gaseous noble metal precursor;providing a second reac
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