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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0881285 (2007-07-25) |
등록번호 | US7994021 (2011-07-27) |
우선권정보 | JP-2006-006-206505(2006-07-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 63 |
A method of forming a semiconductor device is provided, including a step of forming a layer which absorbs light over one face of a first substrate, a step of providing a second substrate over the layer which absorbs light, a step of providing a mask to oppose the other face of the first substrate, a
What is claimed is: 1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of:forming a first layer which absorbs light over one face of a first substrate;forming a second layer over the first layer;providing a second substrate over the second layer;providing a mask in contact wit
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