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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0835263 (2007-08-07) |
등록번호 | US7998820 (2011-08-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 29 |
A device and method of formation are provided for a high-k gate dielectric and gate electrode. The high-k dielectric material is formed, and a silicon-rich film is formed over the high-k dielectric material. The silicon-rich film is then treated through either oxidation or nitridation to reduce the
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a semiconductor device, the method comprising:providing a substrate;forming a high-k dielectric layer over the substrate;forming a silicon-rich semiconductor film over the high-k dielectric layer;treating the silicon-rich semiconductor film at least
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