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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0021316 (2008-01-29) |
등록번호 | US7998864 (2011-08-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 7 |
An interconnect structure that includes a dielectric material having a dielectric constant of about 3.0 or less is provided. This low k dielectric material has at least one conductive material having an upper surface embedded therein. The dielectric material also has a surface layer that is made hyd
What is claimed is: 1. A method of fabricating an interconnect structure comprising:providing a dielectric material having a dielectric constant of about 3.0 or less, said dielectric material having at least one conductive material having an upper surface embedded within said dielectric material;for
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