[특허]Device and method for limiting Di/Dt caused by a switching FET of an inductive switching circuit

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Device and method for limiting Di/Dt caused by a switching FET of an inductive switching circuit 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H03K-017/04
출원번호	US-0479552 (2009-06-05)
등록번호	US7999600 (2011-08-03)
발명자 / 주소	Havanur, Sanjay
출원인 / 주소	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
대리인 / 주소	Chein-Hwa Tsao CH Emily LLC
인용정보	피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 9

초록 ▼

A circuit for limiting di/dt caused by a main switching FET during its turn-off against an inductive switching circuit is proposed. The circuit for limiting di/dt includes an auxiliary inductor in series with the main switching FET for inducing an auxiliary inductive voltage proportional to di/dt; an auxiliary FET in parallel with the main switching FET; the auxiliary FET gate is connected to produce a gate voltage equal to the auxiliary inductive voltage. When the di/dt tends to exceed a predetermined maximum rate of decrease the auxiliary FET produces an auxiliary current component counteracting further decrease of the di/dt. The main switching FET and the auxiliary FET can be formed from a single die with shared source and drain; the auxiliary inductor can be implemented as a parasitic inductance of an inherently required bonding wire connecting the main switching FET to its device terminal to simplify packaging with reduced cost.

대표청구항 ▼

What is claimed are: 1. A circuit for limiting di/dt caused by a main switching FET during its unclamped or partially unclamped inductive turn-off, the circuit comprises an intervening auxiliary inductor having a first terminal in series connection with the main switching FET through its source; and an auxiliary FET, in parallel connection with the main switching FET and having a gate of said auxiliary FET connected to a second terminal of said auxiliary inductor, wherein a source of said auxiliary FET being connected to the first terminal of said auxiliary inductor.

이 특허에 인용된 특허 (9)

Havanur, Sanjay, Device and method for limiting Di/Dt caused by a switching FET of an inductive switching circuit.
상세보기
Kawakami Kazuto (Tokyo JPX), Gate drive circuit for voltage-driven type power switching device.
상세보기
Herbert,Edward, Gate drive method and apparatus for reducing losses in the switching of MOSFETs.
상세보기
Wendt, Michael; Thoma, Lenz; Wicht, Bernhard, High side/low side driver device for switching electrical loads.
상세보기
Clemente Stefano, Method of controlling the switching DI/DT and DV/DT of a MOS-gated power transistor.
상세보기
Archer Michael Anthony,GB2 ; Hodgetts Paul,GB2 ; Mannerfelt Carl,SEX ; Larsson Johan,SEX, Method of operating a drive circuit for a solenoid.
상세보기
Filippo, Roberto; Novelli, Aldo; Gariboldi, Roberto; Genova, Angelo, Methods and apparatus for preventing inadvertent activation of power devices.
상세보기
Asakawa Tatsushi (Suwa JPX) Morozumi Shinji (Suwa JPX), Selectively adjustable voltage detection integrated circuit.
상세보기
Jones Steven C. (Garland TX) Chen Wayne T. (Plano TX), Turn-off circuit to provide a discharge path from a first node to a second node.
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이 특허를 인용한 특허 (2)

Choi, Hangseok; Huang, Wei-Hsuan; Chen, Cheng-Sung, Gate pre-positioning for fast turn-off of synchronous rectifier.
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Cao, Hai; Shi, Si; Tu, Rui; Qu, Bo, Power gating.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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