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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0399047 (2009-03-06) |
등록번호 | US8003483 (2011-08-08) |
우선권정보 | JP-2008-008-070474(2008-03-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 29 |
Forming an insulating film on a surface of the single crystal semiconductor substrate, forming a fragile region in the single crystal semiconductor substrate by irradiating the single crystal semiconductor substrate with an ion beam through the insulating film, forming a bonding layer over the insul
What is claimed is: 1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising the steps of:forming an insulating film on a surface of a single crystal semiconductor substrate;forming a fragile region in the single crystal semiconductor substrate by irradiating the single crystal semiconductor substr
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