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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0668718 (2007-01-30) |
등록번호 | US8012256 (2011-08-23) |
우선권정보 | DE-2006-0 2006 004 398(2006-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 19 |
Disclosed are a method of fabricating a quasi-substrate wafer with a subcarrier wafer and a growth layer, and a semiconductor body fabricated using such a quasi-substrate wafer. In the method of fabricating a quasi-substrate wafer, a growth substrate water is fabricated that is provided with a separ
The invention claimed is: 1. A method of fabricating a quasi-substrate wafer with a subcarrier wafer and a growth layer, the method comprising:providing a growth substrate wafer comprising a desired material of said growth layer and having a first main face and a second main face,forming a separatio
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