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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0142825 (2008-06-20) |
등록번호 | US8013449 (2011-08-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 162 |
A new method is provided for the creation of interconnect lines. Fine line interconnects are provided in a first layer of dielectric overlying semiconductor circuits that have been created in or on the surface of a substrate. A layer of passivation is deposited over the layer of dielectric and a thi
What is claimed is: 1. A chip comprising:a silicon substrate;an ESD circuit on said silicon substrate;an internal circuit on said silicon substrate;a driver, receiver or I/O circuit on said silicon substrate;a dielectric layer over said silicon substrate;a fine-line metallization structure over said
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