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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0122118 (2008-05-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 141 |
Improved methods of depositing copper seed layers in copper interconnect structure fabrication processes are provided. Also provided are the resulting structures, which have improved electromigration performance and reduced line resistance. According to various embodiments, the methods involve depos
What is claimed is: 1. A method for forming a copper interconnect structure on a partially fabricated integrated circuit substrate, the method comprising:providing a recessed feature in a dielectric layer, said feature having a barrier layer on at least the sidewalls of the feature; andforming a cop
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