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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0749292 (2010-03-29) |
등록번호 | US8023322 (2011-09-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 61 |
A memory device and a method thereof allow programming and sensing a plurality of memory cells in parallel in order to minimize errors caused by coupling from fields of neighboring cells and to improve performance. The memory device and method have the plurality of memory cells linked by the same wo
The invention claimed is: 1. A method of programming a plurality of non-volatile memory cells in parallel with reduced error due to perturbing electric fields from neighboring memory cells, comprising:(a) organizing said plurality of memory cells into a page of contiguous memory cells linked by a wo
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