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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0497720 (2009-07-06) |
등록번호 | US8030169 (2011-09-19) |
우선권정보 | JP-2008-008-178027(2008-07-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 33 |
An object is to provide an SOI substrate provided with a semiconductor layer which can be used practically even when a glass substrate is used as a base substrate. Another object is to provide a semiconductor device having high reliability using such an SOI substrate. An altered layer is formed on a
What is claimed is: 1. A method for manufacturing an SOI substrate comprising:processing a glass substrate with a solution including hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid;forming an altered layer on at least one surface of the glass substrate;bonding a single crystal semiconductor substrat
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