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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0575078 (2009-10-07) |
등록번호 | US8030776 (2011-09-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
A structure includes a semiconductor substrate having semiconductor devices formed on or in the substrate. An interconnecting metallization structure is formed over and connected to the devices. The interconnecting metallization structure including at least one dielectric layer. A passivation layer
What is claimed is: 1. A structure comprising:a semiconductor substrate having semiconductor devices formed thereon or therein;an interconnecting metallization structure formed over and connected to the devices, the interconnecting metallization structure including at least one dielectric layer;a pa
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