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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0073741 (2008-03-10) |
등록번호 | US8034694 (2011-09-27) |
우선권정보 | JP-2007-007-097892(2007-04-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 35 |
An SOI substrate having an SOI layer that can be used in practical applications even when a substrate with low upper temperature limit, such as a glass substrate, is used, is provided. A semiconductor device using such an SOI substrate, is provided. In bonding a single-crystal semiconductor layer to
What is claimed is: 1. A method for manufacturing an SOI substrate, comprising the steps of:irradiating a single-crystal semiconductor substrate with H+ ions and H3+ ions to form an embrittlement layer in a region at a certain depth from a surface of the single-crystal semiconductor substrate; andse
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