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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0772767 (2007-07-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 9 |
Functionalized nanoparticles are deposited on metal lines inlaid in dielectric to form a metal cap layer that reduces electromigration in the metal line. The functionalized nanoparticles are deposited onto activated metal surfaces, then sintered and annealed to remove the functional agents leaving b
What is claimed is: 1. A deposition method comprising:providing a semiconductor substrate;depositing carboxylic acid-terminated or ammonium-terminated alkanethiols or alkanedithiols onto regions of the substrate;selectively depositing functionalized nanoparticles comprising functional agents and nan
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