[특허]Crystalline composition, device, and associated method

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C04B-035/58
출원번호	US-0313451 (2005-12-20)
등록번호	US8039412 (2011-10-04)
발명자 / 주소	Park, Dong-Sil D'Evelyn, Mark Philip Peterson, II, Myles Standish Leman, John Thomas Sharifi, Fred
출원인 / 주소	Momentive Performance Materials Inc.
대리인 / 주소	Joseph E., Waters
인용정보	피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 12

초록 ▼

A composition including a polycrystalline metal nitride having a number of grains is provided. These grains have a columnar structure with one or more properties such as, an average grain size, a tilt angle, an impurity content, a porosity, a density, and an atomic fraction of the metal in the metal

대표청구항 ▼

The invention claimed is: 1. A composition, comprising:a polycrystalline group III metal nitride having a plurality of grains, and the grains having a columnar structure, wherein an average grain diameter is larger than about 10 micrometers; and, one or more ofthe metal nitride having an impurity content of less than about 200 parts per million;the metal nitride having a porosity in volume fraction in a range of from about 0.1 percent to about 30 percent; orthe metal nitride having an apparent density in a range of from about 70 percent to about 99.8 percent of the theoretical density value corresponding to the metal nitride.

이 특허에 인용된 특허 (12)

Haulin, Tord, Adaptive level binary logic.
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Kanechika,Yukihiro; Sato,Hideki; Azuma,Masanobu, Aluminum nitride sintered body.
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Kouvetakis John ; McMurran Jeff, Compounds and methods for depositing pure thin films of gallium nitride semiconductor.
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Suscavage, Michael J.; Bliss, David F.; Callahan, Michael J.; Iseler, Gerald W.; Bailey, John S., Forming metal nitrides.
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Kouvetakis, John; Tsong, Ignatius S. T.; Roucka, Radek; Tolle, John, Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors.
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Urashima, Yasuhito; Okuyama, Mineo; Sakurai, Tetsuo; Miki, Hisayuki, METHOD OF FABRICATING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GALLIUM NITRIDE-BASED .
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Cuomo, Jerome J.; Williams, N. Mark; Hanser, Andrew David; Carlson, Eric Porter; Thomas, Darin Taze, Method and apparatus for producing MIIIN columns and MIIIN materials grown thereon.
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Meckie T. Harris ; Michael J. Suscavage ; David F. Bliss ; John S. Bailey ; Michael Callahan, Process and apparatus for the growth of nitride materials.
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Purdy Andrew P., Process for preparing bulk cubic gallium nitride.
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Suscavage Michael J. ; Harris Meckie T. ; Bliss David F. ; Bailey John S. ; Callahan Michael, Process for the manufacture of group III nitride targets for use in sputtering and similar equipment.
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D'Evelyn, Mark P.; Pender, David C.; Vagarali, Suresh S.; Park, Dong-Sil, Sintered polycrystalline gallium nitride and its production.
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Okawa Yoshihiro (Kokubu JPX) Miyahara Kenichiro (Kokubu JPX), Sintered product of aluminum nitride, a process for the preparation thereof, and a baking jig using the same.
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이 특허를 인용한 특허 (5)

McAlister, Roy Edward, Acoustically actuated flow valve assembly including a plurality of reed valves.
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McAlister, Roy Edward, Fuel injector assemblies having acoustical force modifiers and associated methods of use and manufacture.
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McAlister, Roy E., Integrated fuel injector igniters suitable for large engine applications and associated methods of use and manufacture.
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Pocius, Douglas W.; Kamber, Derrick S.; D'Evelyn, Mark P.; Cook, Jonathan D., Method and system for preparing polycrystalline group III metal nitride.
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McAlister, Roy E., Shaping a fuel charge in a combustion chamber with multiple drivers and/or ionization control.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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